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第三代半导体即将到来,耐威科技或将三线齐进丨亿欧解案例

近日,有着“价格屠夫”称号的幼米召开了线上新品发布会。除了冲刺高端市场的新款手机,发布会上一款不首眼的周边产品,却悄然开启了一轮半导体新原料走业的盛宴。 

发布会后,幼米将GaN氮化镓半导体,带到了大多眼前。也让其身后的多多半导体企业受到大多关注。耐威科技就是其中之一家从事氮化镓半导体生产的企业。 

卫星导航首家,MEMS雄首 

耐威科技于2008年在北京成立,从事惯性导航编制及卫星导航产品的研发、生产与出售做事。经过多年发展,耐威科技形成了一套全遮盖的导航编制业务,并于2015年在深交所上市。 

2008-2016年间,耐威科技凝神导航与航空电子的业务。倚赖此,耐威科技的营收与收好一向处于稳定添长状态。但在凝神导航业务的同时,耐威科技发现,频频与高质量的信号传输都离不开MEMS。 

MEMS是指行使半导体生产工艺组织的微型器件或编制。它清淡集微传感器、信号处理和限制电路、微实走器、通讯接口和电源等部件于一体,尺寸大幼清淡在微米级至毫米级之间。 

MEMS可将电子编制与界限环境有机结相符在一首,微传感器授与活动、光、炎、声、磁等信号,信号再被转换成能够被电子编制识别、处理的电信号,片面MEMS器件可经由过程微实走器实现对外部介质的操作。

原由MEMS与原本的导航与航空电子业务高度契相符谁有最新快3平台,耐威科技最先下手MEMS的组织。 

2016年谁有最新快3平台,耐威科技收购了全球领先的MEMS芯片制造商Silex Microsystems AB谁有最新快3平台,Silex Microsystems来自瑞典,一度是世界上最大的MEMS代工厂。世界权威半导体市场钻研机构Yole Development的统计数据表现,2012-2016年,Silex在全球MEMS代工厂收好中的综相符排名为第五位,2017年则超越台积电(TSMC)、索尼(SONY)提高至第三位,紧随便法半导体(ST Microelectronics)、Teledyne DALSA之后。 

Silex拥有8英寸与6英寸两条自力的MEMS生产线,在添速度计、陀螺仪和其他微型传感器技术方面有浓重的积累。Silex的客户涵盖工业、汽车、生物医疗、通讯、消耗电子等多个领域。耐威科技也所以一跃成为MEMS芯片全球代工龙头。 

与此同时,耐威科技的产能行使率也在不息挑高,2018年产能行使率高达98.52%。且近期瑞典产线的MEMS订单极多,生产排期已经超过14个月。短期内,耐威科技MEMS代工全球龙头的地位无人可撼动。 

此外,耐威科技自己在MEMS制造工艺技术方面也有较浓重的积累。收购完善之后,据耐威科技2019年12月初的新闻,耐威科技“8英寸MEMS国际代工线建设项现在”将在2020年于北京投产,6年后达到安详期。 

该项现在现在计划实现每月1万片产能,展望满产后可增补交易收好7-8亿,异日有看实现每月3万片产能。北京产线建设完善后,赛莱克斯北京将与瑞典Silex形成上风互补。这条产线也将为本土的MEMS传感器企业挑供主要的声援。

追求新材,三线齐进 

近两年,耐威科技严密围绕物联网和特栽电子两大产业链,大力发展MEMS、导航、航空电子三大核心业务。与此同时,耐威科技也在积极组织第三代半导体等潜力业务。 

第三代半导体原料及器件主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等原料,以及在其基础上开发制造的响答器件。因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV),又被成为宽禁带半导体原料。 

与第一、二代半导体原料硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,第三代半导体原料及器件具有高炎导率、高击穿场强、高饱和电子速率等益处,能够已足当代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等凶劣条件的新请求。随着5G时代的到来及物联网产业的发展,第三代半导体原料及器件即将迎来重大的市场行使前景。 

第三代半导体走业是在硅基电力电子器件逐渐挨近其理论极限值背景下,诞生的新一代电子新闻技术革命的新兴走业,现在该走业还属于初创期,各方企业几乎都处于联相符首跑线上。 

为了与时间赛跑,耐威科技在即墨投资竖立了聚能晶源公司,凝神GaN外延原料的研发助长;在崂山投资竖立了聚能创芯公司,凝神GaN器件的开发设计。从入驻到项现在建成投产,聚能晶源仅仅用了一年多的时间。 

在第三代半导体业务组织方面,耐威科技现在主要凝神氮化镓(GaN)原料的助长与器件的设计领域。耐威科技已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆,且正在赓续研发氮化镓器件。据晓畅,该原料及器件可普及行使于5G通讯、云计算、数据中间、新式电源等领域。一旦完善研发,将具有先发上风。 

以聚能晶源此前展现的HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆产品为例。该型GaN外延晶圆具有高晶体质量、矮外貌粗糙度、高相反性的原料特点。同时具有矮导通电阻、高耐压的电学特性。值得一挑的是,聚能晶源GaN外延晶圆具有特出的原料庄重性,按照标准TDDB测试手段,其在标称耐压值下的长时有效寿命达到了10的9次方幼时,处于国际业界领先程度。 

按照MarketsandMarkets展望,到2023年,功率氮化镓市场规模将达到4.23亿美元,复相符添长率为93%。吾国多多企业也已最先此组织。国家集成电路产业大基金、北京集成电路产业基金也授予了大量资金声援。 

耐威科技董事长杨云春对此也足够了信念。他多次外示,公司在青岛会赓续建设第三代半导体原料生产基地及器件设计中间,在规模与体量上再造一个耐威。 

新原料的发现往往比新技术的行使更为主要,倘若GaN外延晶圆得以批量行使,吾国在开发GaN器件时可实现高性能、高相反性、高良率、高庄重性等上风,可协助国产替代抢占第三代半导体器件领域的竞争先机。

编辑:唐钰婷

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